三星启动1c纳米制程革命，剑指2026年重夺DRAM市场王座
11月19日，据报道，三星电子正启动一场前所未有的技术革新。据韩国媒体ETNews报道，三星计划在2026年底前，将其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）的月产能提升至20万片晶圆，这一数字将占据公司DRAM总产量的三分之一，标志着三星的技术战略正在发生根本性转变。
这场产能扩张的背后，是三星面临的市场压力。今年前三季度，三星连续将DRAM市场龙头宝座拱手让给SK海力士。经过深入剖析，三星将核心问题指向DRAM业务，并认识到DRAM品质直接决定了HBM（高带宽存储器）的竞争力。这一认知促使三星启动了大规模的设计革新，而1c DRAM正是这场革新的关键成果。
据悉，三星的1c DRAM近期已获得内部认可，良率达到约70%，距离80%-90%的稳定量产目标仅一步之遥。更令人振奋的是，采用1c DRAM制造的HBM4良率也已突破50%大关。这一技术突破为三星的产能扩张计划提供了坚实保障。与此同时，三星历经艰辛，终于敲定了向英伟达供应HBM4的协议，计划从今年第四季度开始交付首批产品。随着HBM4需求激增的态势日益明朗，三星正全力推进1c DRAM的产能建设。
当前，服务器、PC及移动设备对DRAM的需求呈现出全面复苏的态势。AI数据中心的投资扩张推动服务器DRAM需求暴增，价格急剧攀升。而在PC和移动端，随着端侧AI的兴起，设备需要搭载更大容量内存来支持本地AI计算，这为DRAM市场注入了新的增长动力。
三星的独特之处在于，当竞争对手仍在深耕1b DRAM时，三星已经决定采用更先进的1c DRAM来制造HBM产品。这种“领先一代”的技术优势，成为三星实现市场逆转的关键武器。行业观察人士指出，三星凭借其远超竞争对手的生产能力主导市场的战略，极有可能在1c DRAM领域重现。
为实现这一宏伟目标，三星采取了双轨并行的产能建设策略。一方面，以平泽第四工厂（P4）为核心的扩建工程正在紧锣密鼓地进行，目前正处于设备进场与安装的关键阶段。另一方面，三星正在推进技术迁移计划，将现有的1x、1y、1z纳米级DRAM生产线改造为1c专用产线。
