阿斯麦突破EUV光源技术，2030年有望将芯片产量提升50%

2月24日，阿斯麦（ASML）的研究人员近日宣布，已找到提升极紫外（EUV）光刻机光源功率的有效方法，到2030年可将芯片产量提高多达50%。这一技术突破将进一步提升阿斯麦在高端光刻设备市场的领先地位，并有望降低单颗芯片的制造成本。

阿斯麦极紫外光源首席技术官迈克尔·珀维斯在接受采访时表示，新系统能够在满足客户实际生产环境所有要求的前提下，稳定输出1000瓦功率，而非仅在实验室条件下短暂可行。目前，主流EUV光刻机的光源功率为600瓦。

更高功率的核心优势在于缩短曝光时间。芯片制造过程类似“打印”：极紫外光照射到涂有光刻胶的硅片上，功率提升后，每小时可处理更多晶圆。阿斯麦NXE系列EUV光刻机业务执行副总裁滕·梵高表示，到2030年，升级后的设备每小时可处理约330片晶圆，而目前为220片。根据芯片尺寸不同，每片晶圆可产出数百至数千颗芯片。

此次技术突破的关键在于对光刻机最复杂部件之一——锡滴发生器的改进。在现有系统中，大量二氧化碳激光将锡滴加热成等离子体，再由锡离子发出极紫外光。阿斯麦通过将锡滴数翻倍至每秒约10万次，并用两次较小的激光脉冲将其塑形成等离子体，替代了此前的一次成型工艺。

珀维斯表示：“这非常具有挑战性，需要掌握纳米级精准度，融合激光技术、等离子体科学及材料科学。”他补充道，千瓦级成果意义重大，团队已看到通往1500瓦的清晰路径，从理论上讲，未来突破2000瓦也不存在根本性障碍。