三星为英伟达下一代 NVHBM 选用台积电 3nm 工艺制造基底裸片

10月19日，据报道，三星电子在开发英伟达的下一代定制高带宽内存 NVHBM 时，决定使用台积电的工艺生产基础芯片这一核心部件。

英伟达要求三星电子、SK 海力士和美光科技等 NVHBM 供应商，在台积电的 3 纳米工艺上制造基础芯片，并在第六代 DRAM 工艺上标准化核心芯片，因为供应商之间的制造方法不一致，很难一致地提供设计性能。

这是三星电子首次在 HBM 制造阶段而非封装阶段与台积电合作，标志着三星改变了内部生产核心芯片和基础芯片的交钥匙方式。三星电子计划坚持其标准 HBM 产品和为 AMD 等其他客户定制 HBM 的统包战略，并表示还在测试使用自己代工厂的可能性，以防 NVHBM 需求超过台积电的产能。