长鑫科技第六代DRAM完成工程样片验证 基于4F²架构

11月2日，据报道，长鑫科技在第三季度业绩交流会中表示，在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证，这是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台基于 4F² 架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。

此前长鑫在公开演讲中表示，预计年底将面向服务器领域推出融合 4F² 先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。就公开披露的进度而言，长鑫在 4F² 工程化推进上处于全球前列，三星、SK 海力士均已将 4F² 列为 10nm 级以下的关键方向，长鑫率先完成了工程样片验证，如后续进展顺利，长鑫有望成为全球首个落地 4F² 的企业。

4F² 被视为破解 DRAM 单元微缩瓶颈、迈向 3D DRAM 的关键路径。DRAM 技术演进始终围绕密度提升，在同样大小的晶圆上集成更多单元、摊薄单位比特成本，但进入 10nm 级后，原有 6F² 已难以为继，逼近物理极限。4F² 单元面积为 2F×2F，约为主流 6F² 单元的三分之二，已成为全球主要存储厂商的共同选择。长鑫 4F² 架构的核心是自研 VSG（Vertical Surrounding Gate，垂直包围栅）晶体管，其垂直包围沟道结构栅控更强，可缓解短沟道效应与漏电，并将 DRAM 与 CMOS 的制造工艺解耦，再通过晶圆级混合键合实现高速互联，使逻辑性能与存储密度、可靠性得以分别优化。