三星突破性NAND技术问世，功耗骤降96%将重塑AI数据中心未来

11月27日，三星电子宣布其研究团队成功开发出一种新型NAND闪存结构，这项突破性技术可将功耗降低超过90%，有望彻底改变人工智能数据中心、移动设备及其他依赖存储芯片的终端产品的能效表现。

三星先进技术研究院（SAIT）主导的这项研究，创造性地将铁电材料与氧化物半导体结合在一起。相关研究成果已发表于全球顶尖科学期刊《自然》，彰显了该技术的科学价值与创新高度。传统NAND闪存通过向存储单元注入电子来实现数据写入，随着存储密度的提升，业界普遍采用堆叠更多存储层的方式来构建芯片，但这同时也导致了数据读写过程中的能耗大幅增加。在大规模数据中心场景中，存储芯片的功耗问题已成为制约行业发展的关键瓶颈。

研究团队在面对氧化物半导体阈值电压不稳定的技术难题时，展现出了非凡的创新思维。他们不仅没有回避这一传统技术障碍，反而通过与铁电结构的协同设计，将这一劣势转化为独特优势。铁电材料具备自维持电极化特性，无需持续供电即可保持状态，这一特性成为实现超低功耗的关键。

得益于这项创新设计，新架构实现了惊人的96%功耗降幅。三星强调，这一突破完全依托其内部自主研发能力，由三星电子SAIT与半导体研究所的34名研究人员共同完成，体现了公司在基础研究领域的深厚积累。

“我们已验证了实现超低功耗NAND闪存的可行性。”三星电子SAIT研究员、本研究第一作者Yoo Si-jeong表示，“在AI生态系统中，存储器的角色日益关键。未来我们将持续推进后续研究，目标是实现该技术的商业化落地。”