消息称三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存：分别优化吞吐量与随机性能

2026-10-12 16:24:14 | 嫣然 | 3202

10月12日，据报道，韩媒 ZDNET Korea 报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除已公布的 zNAND-O 外，还有 zNAND-T 与 zNAND-I。

报道指出，zNAND-T 的 T 代表 Throughput（吞吐量），类似闪迪与 SK 海力士提出的 HBF 概念，为数据中心 AI 半导体需求优化读写带宽，采用 TSV 堆叠 NAND Die；zNAND-I 的 I 则象征随机性能的 IOPS，强调少量数据频繁读写场景中的表现，KV Cache 卸载即属此类。三种 zNAND 各有专长、针对不同的应用负载，代表 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。

特别提醒：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字、图片等内容的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时发送相关信息至bireading@163.com，本站将会在48小时内处理完毕。