长鑫 G6 内存单元面积再缩 30%：DUV 极限下首次引入键合工艺

10月12日，据报道，国产 DRAM 厂商长鑫科技下一代内存技术平台 G6 的指标预测近日流出。该方案显示，长鑫将继续采用 DUV 光刻工艺生产 G6 代内存，预计最快 2028 年推出，单元面积将从 G5 代的 0.00128205 平方微米进一步缩减至 0.000896 平方微米，缩减幅度达 30%。

在缺乏 EUV 光刻机的条件下，长鑫正通过深度优化 DUV 工艺组合逼近物理极限：G6 的单元面积微缩将依靠 193 纳米 DUV 浸没式光刻结合自对准四重图案化（SAQP）技术，部分层级采用自对准双重图案化（SADP），字线间距从 33.3 纳米收紧至 28 纳米，位线间距从 38.5 纳米降至 32 纳米。最关键的变量是键合工艺首次引入：G6 的 M0 层将通过晶圆级混合键合，把 DRAM 存储阵列与外围逻辑电路解耦制造后再堆叠互联，与长鑫 4F² 架构布局吻合。预测还指出，G6 或是 6F² 结构的最后一代，长鑫已布局 64 层以上 3D 内存，G7 代或转向 4F² 与 3D 架构。