IBM推出全球首款亚1纳米芯片技术：晶体管密度翻倍，性能提升最高50%

6月26日，IBM今日正式发布全球首款亚1纳米芯片技术，其晶体管架构革命性达到0.7纳米（7埃）节点。受此消息影响，IBM盘前股价一度涨近7%。

这一成就标志着半导体行业面临传统制程逼近物理极限之际，仍展现出继续推进性能与能效提升的潜力。亚1纳米芯片技术可在指甲盖大小的芯片上集成近1000亿个晶体管，密度约为IBM于2021年发布的2纳米芯片的两倍。新技术采用IBM首创的NanoStack三维纳米堆叠架构，将晶体管纵向堆叠并错位排列，利用三维顺序集成技术在相同面积内容纳更多晶体管，每个堆叠层还可采用不同材料组合，独立优化各层性能与功耗。

性能方面，与2纳米节点芯片相比，新芯片预计可将性能提升最高50%，或将能效提高70%，为生成式AI、云基础设施和下一代电子设备提供更强算力。IBM研究院院长杰伊·甘贝塔表示："NanoStack不只是把晶体管做得更小，而是从根本上重新设计芯片结构，从而大幅提高算力和能效。这项行业首创延续了IBM引领下一代技术发展的传统，并为下一个计算时代奠定基础。"

IBM已通过实验验证NanoStack的可制造性，包括CMOS集成中的超薄介电层键合、双沟道工程，以及符合预期开关性能的CMOS反相器。此外，IBM研究人员在VLSI 2026上公布，NanoStack可让SRAM缩小40%，对于满足先进AI工作负载的高带宽数据传输需求具有重要意义。IBM预计NanoStack至少可支撑未来十年的半导体工艺发展，最早将在亚1纳米节点投入应用，有望在未来5年内进入量产阶段。