Neo Semiconductor公布X-SRAM：双晶体管设计，宣称实现5倍片上缓存容量

8月5日，据报道，3D存储半导体IP企业Neo Semiconductor在FMS 2026峰会上公布了其双晶体管SRAM设计X-SRAM，宣称可实现现有6T SRAM方案5倍的片上缓存容量，并将片上SRAM提升至GB级别。

当前主流的6T SRAM由6个晶体管构成，受限于芯片面积和制造成本，片上缓存的扩展能力受到严重制约。随着AI推理等需要大量缓存的工作负载增加，更大容量、更高速度的片上缓存成为迫切需求。Neo Semiconductor的X-SRAM通过将晶体管数量从6个减少到2个，在相同芯片面积下可容纳5倍于现有方案的缓存容量，同时保持高速访问特性。

Neo Semiconductor展示了四种不同的X-SRAM单元结构：Type B方案与现有GAA Nanosheet逻辑制程直接兼容，无需额外工艺调整；Type A/C/D则各有侧重，需要工艺配合调整。公司还展望了堆叠式的3D X-SRAM，通过在垂直方向堆叠多层SRAM，有望实现20至40倍于现有设计的片上缓存容量。

X-SRAM有望应用于AI芯片、高性能计算和边缘计算等领域。目前该技术仍处于IP公开阶段，商业化时间表尚未公布。Neo Semiconductor表示正在与潜在合作伙伴就技术授权展开洽谈。